IR2304SPBF vs IR2101PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2304SPBF par Infineon et IR2101PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2304SPBF IR2101PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,78
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High and Low Side)
Nombre de sorties 2 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Boîtier 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Type de montage Surface Mount Through-Hole
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Packaging — Tube

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