IR2304SPBF vs IR2101PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2304SPBF por Infineon y IR2101PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2304SPBF IR2101PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $0,78
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels Half-Bridge (High and Low Side)
Número de salidas 2 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Encapsulado 8-Pin SOIC (SO-8 N) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Through-Hole
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Input Type — Non-Inverting
Number of Drivers — 2 (High-Side + Low-Side)
Supply Voltage (VCC/VBS) — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Peak Source Current — 0.21 A (210 mA)
Peak Sink Current — 0.36 A
Offset (High-Side) Voltage — Up to +600 V
Propagation Delay — 160 ns
Undervoltage Lockout — Yes
dV/dt Immunity — Yes (negative transient tolerant)
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Packaging — Tube

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