IR2304SPBF vs IR2109SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2304SPBF von Infineon und IR2109SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2304SPBF IR2109SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Gehäuse 8-Pin SOIC (SO-8 N) SOIC-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
RoHS-Status Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Anstiegszeit — 200 ns
Abfallzeit — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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