IR2304SPBF vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2304SPBF por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2304SPBF IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Número de salidas 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Encapsulado 8-Pin SOIC (SO-8 N) SOIC-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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