IR2304SPBF vs IR2109SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2304SPBF par Infineon et IR2109SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2304SPBF IR2109SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $1,05
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
Nombre de sorties 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
Boîtier 8-Pin SOIC (SO-8 N) SOIC-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
Statut RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Temps de montée — 200 ns
Temps de descente — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Bootstrap Diode — Integrated
Température de jonction en fonctionnement — -40 C to +150 C

Fiches techniques et ressources

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