IRF3007STRLPBF vs IPB019N08N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF3007STRLPBF von Infineon und IPB019N08N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF3007STRLPBF IPB019N08N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $2,74
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) 75 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C 62 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 250 A —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 12.6 mΩ typical at VGS=10V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 110 nC typical —
Maximum Power Dissipation (Pd) 120 W at Tc=25°C —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +175°C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.0 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 40 °C/W —
Package Type D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (Lead-Free, PBF suffix) Compliant
Avalanche Rated Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 180 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V
Drive Voltage (Rds On Max) — 6 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V — 206 nC
Input Capacitance (Ciss) — 14.2 nF
Output Capacitance (Coss) — 3.84 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 3.84 nF
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Gehäuse — PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount)

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