IRF3007STRLPBF vs IPB019N08N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF3007STRLPBF от Infineon и IPB019N08N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPB019N08N3GATMA1 - 80V 180A 1.9mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
IPB019N08N3GATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IRF3007STRLPBF | IPB019N08N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,92 | $2,74 |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | 62 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 250 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 12.6 mΩ typical at VGS=10V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 110 nC typical | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 120 W at Tc=25°C | — |
| Рабочая температура перехода | -55°C to +175°C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.0 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 40 °C/W | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant (Lead-Free, PBF suffix) | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V |
| Drive Voltage (Rds On Max) | — | 6 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | — | 206 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14.2 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 3.84 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 3.84 nF |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| Корпус | — | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) |