IRF3205STRLPBF vs IRF4905LPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF3205STRLPBF von Infineon und IRF4905LPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF3205STRLPBF IRF4905LPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,02 $0,98
Polarity N-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (Tj) —
Gehäuse TO-263-3 (D2PAK) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Montageart Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (IR MOSFET)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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