IRF3205STRLPBF vs IRF4905LPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRF3205STRLPBF от Infineon и IRF4905LPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRF3205STRLPBF | IRF4905LPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,02 | $0,98 |
| Polarity | N-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 110 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 390 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | 8 mΩ max @ Vgs=10V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 97.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 200 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| Корпус | TO-263-3 (D2PAK) | TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin |
| Тип монтажа | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) | — |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Packaging | Tape & Reel (STRL) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C | — | 200 W |
| Рабочая температура перехода | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC value] |
| Rise Time (tr) typ | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (tf) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PbF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes |