IRF3205STRLPBF vs IRF4905LPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF3205STRLPBF por Infineon e IRF4905LPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF3205STRLPBF IRF4905LPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $0,98
Polarity N-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vdss) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 110 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 390 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) 8 mΩ max @ Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 97.3 nC typical —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 200 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (Tj) —
Encapsulamento TO-263-3 (D2PAK) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) —
Technology HEXFET (advanced process) HEXFET (IR MOSFET)
Packaging Tape & Reel (STRL) —
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Lead-Free / RoHS — Yes (PbF suffix)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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