IRF4905PBF vs IRF4905SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF4905PBF von Infineon und IRF4905SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF4905PBF IRF4905SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $1,18
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET, planar cell
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +175 °C (junction) —
Gehäuse TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263) surface mount
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
Montageart Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL-Level 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
RoHS-Status — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — JEDEC standard

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern