IRF4905PBF vs IRF4905SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF4905PBF por Infineon e IRF4905SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF4905PBF IRF4905SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,95 $1,18
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET, planar cell
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (junction) —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263) surface mount
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Nível MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Status RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — JEDEC standard

Fichas técnicas e recursos

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