IRF4905STRRPBF vs IPD50P04P413ATMA2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF4905STRRPBF von Infineon und IPD50P04P413ATMA2 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF4905STRRPBF IPD50P04P413ATMA2
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,94 $0,42
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -74 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 20 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 170 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse D2PAK (TO-263-3) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) OptiMOS-P2 (Trench)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
MSL-Level — 1
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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