IRF4905STRRPBF vs IPD50P04P413ATMA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905STRRPBF par Infineon et IPD50P04P413ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905STRRPBF IPD50P04P413ATMA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,94 $0,42
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -74 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 20 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 170 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier D2PAK (TO-263-3) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) OptiMOS-P2 (Trench)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Niveau MSL — 1
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fiches techniques et ressources

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