IRF4905STRRPBF vs IPD50P04P413ATMA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF4905STRRPBF por Infineon e IPD50P04P413ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF4905STRRPBF IPD50P04P413ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,94 $0,42
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -74 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 20 mOhm —
RDS(on) max at VGS=-4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2.0 V to -4.0 V [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 170 W —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263-3) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) OptiMOS-P2 (Trench)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs
Nível MSL — 1
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Fichas técnicas e recursos

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