IRF640NSTRLPBF vs IRF640NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF640NSTRLPBF von Infineon und IRF640NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF640NSTRLPBF IRF640NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,88
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Montageart Surface Mount (Tape and Reel) Through Hole
Lead-Free (PbF) Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Transistortyp — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

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