IRF640NSTRLPBF vs IRF640NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NSTRLPBF par Infineon et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NSTRLPBF IRF640NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $0,88
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Type de montage Surface Mount (Tape and Reel) Through Hole
Lead-Free (PbF) Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fiches techniques et ressources

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