IRF640NSTRLPBF vs IRF640NPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF640NSTRLPBF por Infineon e IRF640NPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF640NSTRLPBF IRF640NPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $0,88
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 44.7 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Faixa de temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Tipo de montagem Surface Mount (Tape and Reel) Through Hole
Lead-Free (PbF) Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Tipo de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fichas técnicas e recursos

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