IRF640NSTRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF640NSTRLPBF von Infineon und IRFZ48NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF640NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $1,18
FET Type N-Channel N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 54 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55C to +175C —
Gehäuse D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Montageart Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

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