IRF640NSTRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF640NSTRLPBF por Infineon e IRFZ48NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF640NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,89 $1,18
FET Type N-Channel N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 54 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Faixa de temperatura de junção de operação -55C to +175C —
Encapsulamento D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Tipo de montagem Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Fichas técnicas e recursos

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