IRF640NSTRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NSTRLPBF par Infineon et IRFZ48NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF640NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $1,18
FET Type N-Channel N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET (5th generation, trench MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 0.15 ohm —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 54 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Type de montage Surface Mount (Tape and Reel) Surface Mount
Lead-Free (PbF) Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Fiches techniques et ressources

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