IRF7103TRPBF vs IRF7854TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7103TRPBF von Infineon und IRF7854TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7103TRPBF IRF7854TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,47 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7103TRPBF —
FET Type Dual N-Channel N-Channel
Configuration Common Source, Dual Die —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-Resistance RDS(on) max 130 mOhm @ VGS=10V —
On-Resistance RDS(on) typ 0.11 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C (TJ)
Gehäuse SO-8 (PG-DSO-8-902) SO-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) HEXFET (planar N-channel)
Soldering Method Vapour phase, infrared, wave soldering —
MSL-Level 1 —
Lead-Free Yes (Pb-free per TRPBF suffix) —
RoHS-Status Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

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