IRF7103TRPBF vs IRF7854TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7103TRPBF por Infineon e IRF7854TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7103TRPBF IRF7854TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,47 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7103TRPBF —
FET Type Dual N-Channel N-Channel
Configuration Common Source, Dual Die —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] —
On-Resistance RDS(on) max 130 mOhm @ VGS=10V —
On-Resistance RDS(on) typ 0.11 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C (TJ)
Encapsulamento SO-8 (PG-DSO-8-902) SO-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET equivalent) HEXFET (planar N-channel)
Soldering Method Vapour phase, infrared, wave soldering —
Nível MSL 1 —
Lead-Free Yes (Pb-free per TRPBF suffix) —
Status RoHS Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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