IRF7341GTRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7341GTRPBF von Infineon und ISA150233C03LMDSXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7341GTRPBF ISA150233C03LMDSXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,76 $0,61
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Gehäuse 8-SO (SOIC-8) PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55 C to +150 C (junction)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
N-channel Continuous Drain Current (Ta) — 7.6 A
N-channel Continuous Drain Current (Tc) — 10.2 A
P-channel Continuous Drain Current (Ta) — 6.6 A
P-channel Continuous Drain Current (Tc) — 8.8 A
Total Power Dissipation (Ta) — 1.4 W
Total Power Dissipation (Tc) — 2.5 W
Marking Code — 1523C03L
Channel Type — N-channel + P-channel enhancement mode

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