IRF7341GTRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7341GTRPBF par Infineon et ISA150233C03LMDSXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7341GTRPBF ISA150233C03LMDSXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,76 $0,61
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET OptiMOS 3 trench MOSFET
Boîtier 8-SO (SOIC-8) PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 C to +150 C (junction)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
N-channel Continuous Drain Current (Ta) — 7.6 A
N-channel Continuous Drain Current (Tc) — 10.2 A
P-channel Continuous Drain Current (Ta) — 6.6 A
P-channel Continuous Drain Current (Tc) — 8.8 A
Total Power Dissipation (Ta) — 1.4 W
Total Power Dissipation (Tc) — 2.5 W
Marking Code — 1523C03L
Channel Type — N-channel + P-channel enhancement mode

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