IRF7380TRPBF vs IRF7341GTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7380TRPBF von Infineon und IRF7341GTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7380TRPBF IRF7341GTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) IR HEXFET Planar MOSFET
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Gehäuse SO-8 (8-SO, SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) —
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +175 C
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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