IRF7380TRPBF vs IRF7341GTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7380TRPBF por Infineon e IRF7341GTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7380TRPBF IRF7341GTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7380TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.6 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 73 mOhm at VGS = 10 V —
Technology IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) IR HEXFET Planar MOSFET
Total Power Dissipation (PD) 2 W —
Encapsulamento SO-8 (8-SO, SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed —
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free plating, suffix PBF) —
Packaging Tape & Reel (suffix TR) —
Primary Application High-frequency DC-DC converters —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +175 C
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação