IRF7769L1TRPBF vs IRFB4110PBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF7769L1TRPBF von Infineon und IRFB4110PBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF7769L1TRPBF IRFB4110PBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $1,55
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
Gepulster Drain-Strom 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (planar DMOS)
Gehäuse DirectFET Isometric L8 TO-220AB (through-hole)
Package Profile 0.7 mm —
Montageart Surface Mount Through Hole
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) —
MSL-Level 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
RoHS-Status — Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern