IRF8736TRPBF vs BSC054N04NSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF8736TRPBF von Infineon und BSC054N04NSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF8736TRPBF BSC054N04NSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,27 $0,42
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET / HEXFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse SO-8 (8-SO, MS-012AA) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
RoHS-Status — Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

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