IRF8736TRPBF vs BSC054N04NSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF8736TRPBF por Infineon e BSC054N04NSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF8736TRPBF BSC054N04NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,42
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET / HEXFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento SO-8 (8-SO, MS-012AA) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC054N04NSGATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 81 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 17 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation at Tc=25C — 57 W
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Status RoHS — Compliant
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Lead-Free Reflow — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação