IRF9540NPBF vs IRF9530NPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF9540NPBF von Infineon und IRF9530NPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF9540NPBF IRF9530NPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF9540NPBF —
Transistortyp P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Montageart Through Hole Through Hole
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — -14 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 200 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — 38.7 nC
Maximum Power Dissition at TC=25°C — 79 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
Gehäuse — TO-220AB (through-hole)
Mounting Screw Torque (max) — [DATA_NEEDED: maximum torque]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated
dv/dt Rating — Dynamic dV/dt rated
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Datenblätter & Ressourcen

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