IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF9540NPBF von Infineon und IRF9540NSTRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF9540NPBF IRF9540NSTRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,86 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9540NPBF —
Transistortyp P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Betriebs-Sperrschichttemperaturbereich -55 C to +175 C —
Gehäuse / Bauform TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Montageart Through Hole Surface Mount
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Gehäuse — D2PAK (TO-263), surface mount
Technology — HEXFET, Advanced Process
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern