IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9540NPBF por Infineon e IRF9540NSTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9540NPBF IRF9540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,86 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9540NPBF —
Tipo de transistor P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Encapsulamento — D2PAK (TO-263), surface mount
Technology — HEXFET, Advanced Process
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Fichas técnicas e recursos

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