IRF9540NPBF vs IRF9540NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF9540NPBF por Infineon y IRF9540NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF9540NPBF IRF9540NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,86 $0,58
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF9540NPBF —
Tipo de transistor P-Channel MOSFET (HEXFET Power MOSFET) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc -23 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 117 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 64.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 140 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado / Carcasa TO-220AB (through-hole, 3 pins + tab) —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Process Technology Planar HEXFET cell structure —
Qualification JEDEC standard —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (Pb-free matte tin plating) —
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Encapsulado — D2PAK (TO-263), surface mount
Technology — HEXFET, Advanced Process
Polarity — P-Channel
Operating Mode — Enhancement-mode
Avalanche Rated — Yes
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

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