IRF9540NSTRLPBF vs IRF4905STRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF9540NSTRLPBF von Infineon und IRF4905STRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF9540NSTRLPBF IRF4905STRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,95
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 120 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Gehäuse D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, Advanced Process HEXFET (Planar)
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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