IRF9540NSTRLPBF vs IRF4905STRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF9540NSTRLPBF por Infineon e IRF4905STRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF9540NSTRLPBF IRF4905STRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,95
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 120 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Encapsulamento D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, Advanced Process HEXFET (Planar)
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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