IRF9540NSTRLPBF vs IRF4905STRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9540NSTRLPBF par Infineon et IRF4905STRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9540NSTRLPBF IRF4905STRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,95
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 120 nC
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
Boîtier D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, Advanced Process HEXFET (Planar)
Polarity P-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes —
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -260 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V — 20 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 170 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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