IRFB4020PBF vs IPP069N20NM6AKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFB4020PBF von Infineon und IPP069N20NM6AKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFB4020PBF IPP069N20NM6AKSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,38 $4,10
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur 175 C (max) —
Gehäuse TO-220AB (through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
Montageart Through Hole Through Hole
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 136 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL-Level — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

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