IRFB4020PBF vs IPP069N20NM6AKSA1 比較

詳細な並列比較: IRFB4020PBF メーカー: Infineon および IPP069N20NM6AKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFB4020PBF IPP069N20NM6AKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.38 $4.10
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
動作接合温度 175 C (max) —
パッケージ TO-220AB (through-hole) PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 136 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 15.3 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 300 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 6.9 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
動作温度範囲 — -55C to +175C
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes
MSLレベル — N/A (through-hole package)
Tab Connection — Electrically connected to Drain

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼