IRFH5015TRPBF vs IQE022N06LM5CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFH5015TRPBF von Infineon und IQE022N06LM5CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFH5015TRPBF IQE022N06LM5CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Gehäuse 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Betriebstemperatur -55C to +150C (TJ max) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C
Pin-Anzahl — 9 (with exposed thermal pad)
Lead-Free — Yes

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