IRFH5015TRPBF vs IQE022N06LM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon e IQE022N06LM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5015TRPBF IQE022N06LM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulamento 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ max) —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Contagem de pinos — 9 (with exposed thermal pad)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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