IRFH5015TRPBF vs IQE022N06LM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5015TRPBF par Infineon et IQE022N06LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH5015TRPBF IQE022N06LM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC —
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Boîtier 8-PQFN (5x6) SuperSO8 PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ max) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Nombre de broches — 9 (with exposed thermal pad)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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