IRFH7440TRPBF vs IRFH7084TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFH7440TRPBF von Infineon und IRFH7084TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFH7440TRPBF IRFH7084TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,45
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W 156 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Gehäuse 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C (TJ)
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Halogenfrei — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

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