IRFH7440TRPBF vs IRFH7084TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH7440TRPBF por Infineon e IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH7440TRPBF IRFH7084TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $0,45
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) 2.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 92 nC —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 104 W 156 W
Temperatura de junção de operação -55°C to +150°C —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Encapsulamento 8-PQFN (5x6 mm) with exposed thermal pad 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Optimization 10V (Normal Level), switching < 100 kHz —
Qualification JEDEC standard —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant (PBF suffix) —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL 1 —
Typical Applications Brushed motor drive, DC-DC converters, solenoid/load switching —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ)
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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