IRFML8244TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFML8244TRPBF von Infineon und IRLTS2242TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFML8244TRPBF IRLTS2242TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,14
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Gehäuse SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) TSOP-6 (Micro 6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level MSL1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
RoHS-Status Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes

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