IRFML8244TRPBF vs IRLTS2242TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFML8244TRPBF por Infineon e IRLTS2242TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFML8244TRPBF IRLTS2242TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,14
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.8 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 24 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Total Gate Charge (Qg) 5.4 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Power Dissipation (PD) max 1.25 W (Ta) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) TSOP-6 (Micro 6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Configuration Industry-standard SOT-23 pinout (G-D-S) —
Status RoHS Compliant (Pb-free, halogen-free) Compliant
Qualification Consumer grade —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes

Fichas técnicas e recursos

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