IRFR1205TRPBF vs IRFR5305TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR1205TRPBF von Infineon und IRFR5305TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR1205TRPBF IRFR5305TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,49 $0,38
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55C to +175C
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern