IRFR1205TRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR1205TRPBF par Infineon et IRFR5305TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR1205TRPBF | IRFR5305TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,38 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | HEXFET fifth-generation planar MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 44 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V min, 4 V max | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 27 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 43.3 nC | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | 107 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant (PBF suffix = lead-free) | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -31 A |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=-5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free, suffix "PBF") |
| Tape & Reel Orientation | — | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) |