IRFR1205TRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR1205TRPBF por Infineon e IRFR5305TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR1205TRPBF IRFR5305TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,49 $0,38
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 44 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 160 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V min, 4 V max [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 27 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 43.3 nC —
Power Dissition (PD) at TC=25C 107 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fichas técnicas e recursos

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