IRFR220NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR220NTRLPBF von Infineon und IRFR4620TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR220NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $1,72
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Gehäuse TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1 (Unlimited)
RoHS-Status Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Technology — IR MOSFET
Gehäuse / Bauform — TO-252AA (DPAK)
Betriebstemperatur — -55C to +175C
Lead Free — Yes

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